อุปกรณ์ทดลอง LEEM-10A สำหรับศึกษาลักษณะเฉพาะของรอยต่อ PN

คำอธิบายโดยย่อ:

การแนะนำ

คุณสมบัติทางกายภาพของรอยต่อ PN ในสารกึ่งตัวนำเป็นหนึ่งในเนื้อหาพื้นฐานที่สำคัญของฟิสิกส์และอิเล็กทรอนิกส์ อุปกรณ์นี้ใช้วิธีการทดลองทางฟิสิกส์ในการวัดความสัมพันธ์ระหว่างกระแสการแพร่ของรอยต่อ PN กับแรงดันไฟฟ้า พิสูจน์ว่าความสัมพันธ์นี้เป็นไปตามกฎการกระจายแบบเอกซ์โปเนนเชียล และวัดค่าคงที่ของโบลต์ซมันน์ (หนึ่งในค่าคงที่ที่สำคัญในฟิสิกส์) ได้แม่นยำยิ่งขึ้น ซึ่งช่วยให้นักเรียนได้เรียนรู้วิธีใหม่ในการวัดกระแสอ่อน อุปกรณ์นี้มีเทอร์โมสตัทควบคุมอุณหภูมิแบบสลับเพื่อวัดความสัมพันธ์ระหว่างแรงดันไฟฟ้าของรอยต่อ PN กับอุณหภูมิทางเทอร์โมไดนามิก T เพื่อให้ได้ความไวของเซ็นเซอร์ และประมาณค่าช่องว่างพลังงานของวัสดุซิลิคอนที่ 0K อุปกรณ์นี้มีความเสถียรและเชื่อถือได้ มีเนื้อหาการทดลองทางฟิสิกส์มากมาย แนวคิดที่ชัดเจน การออกแบบโครงสร้างที่เหมาะสม และผลการวัดที่แม่นยำสูง อุปกรณ์นี้ส่วนใหญ่ใช้ในการทดลองทางฟิสิกส์ทั่วไปและการออกแบบการทดลองวิจัยในวิทยาลัยและมหาวิทยาลัย

ส่งอีเมลถึงเรา

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

การทดลอง

1. ความสัมพันธ์ระหว่างกระแสการแพร่ของรอยต่อ PN และแรงดันรอยต่อได้รับการวัด และความสัมพันธ์นี้ได้รับการพิสูจน์ว่าเป็นไปตามกฎการกระจายแบบเอกซ์ponential ผ่านการประมวลผลข้อมูล

2. ค่าคงที่ของโบลต์ซมันน์ได้รับการวัดอย่างแม่นยำยิ่งขึ้น (ความคลาดเคลื่อนต้องน้อยกว่า 2%)

3. เรียนรู้วิธีใช้แอมพลิฟายเออร์ปฏิบัติการเพื่อสร้างตัวแปลงกระแส-แรงดันเพื่อวัดกระแสอ่อนจาก 10^-6A ถึง 10^-8A;

4. วัดความสัมพันธ์ระหว่างแรงดันของรอยต่อ PN กับอุณหภูมิ และคำนวณความไวของแรงดันรอยต่อต่ออุณหภูมิ

5. คำนวณหาค่าประมาณของช่องว่างพลังงานของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ (ซิลิคอน) ที่อุณหภูมิ 0K

ดัชนีทางเทคนิค

1. แหล่งจ่ายไฟ DC

แหล่งจ่ายไฟ DC ปรับได้ 0-1.5V;

แหล่งจ่ายไฟ DC ที่ปรับได้ 1mA-3mA

2. โมดูลวัดค่า LCD

อัตราส่วนความละเอียดของจอ LCD: 128×64 พิกเซล

ตัวบ่งชี้แรงดันไฟฟ้าดิจิทัลสองตัว ช่วง: 0-4095 มิลลิโวลต์ อัตราส่วนความละเอียด: 1 มิลลิโวลต์

ช่วงการวัด: 0-40.95V, อัตราส่วนความละเอียด: 0.01V